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SUTE絕緣膜

SUTE絕緣膜具有很高的電阻率(高于1010Ω·cm)和擊穿場強，而電子結構特點是禁帶寬度大。為了用于高頻絕緣，還要求材料具有低的介電損耗。絕緣膜有無機和有機兩類。

具有很高的電阻率(高于1010Ω·cm)和擊穿場強，而電子結構特點是禁帶寬度大。為了用于高頻絕緣，還要求材料具有低的介電損耗。絕緣膜有無機和有機兩類。

能夠保證良好電絕緣性的薄膜。這種薄膜應當具有很高的電阻率(高于1010Ω·cm)和擊穿場強，而電子結構特點是禁帶寬度大。為了用于高頻絕緣，還要求材料具有低的介電損耗。絕緣膜有無機和有機兩類。無機絕緣體通常稱為電介質，常用的有氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氮化鋁；常用的有機絕緣膜材料有聚酰亞胺、聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯。不論是無機還是有機絕緣體，一般都具有在外電場作用下極化的能力。用作電絕緣膜時，希望其介電常數低，以減少介質損耗。

具有很高的電阻率(高于1010Ω·cm)和擊穿場強，而電子結構特點是禁帶寬度大。為了用于高頻絕緣，還要求材料具有低的介電損耗。絕緣膜有無機和有機兩類。

具有很高的電阻率(高于1010Ω·cm)和擊穿場強，而電子結構特點是禁帶寬度大。為了用于高頻絕緣，還要求材料具有低的介電損耗。絕緣膜有無機和有機兩類。